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同时，选树4.2%In掺杂会进一步调整带隙，提高其电导率。基于第一性原理计算和实验结果表明，为市网总Ag和In倾向于占据CoSb3晶格间隙位置。
通过各种优化手段，优秀P型的热电优值ZT已经从0.5提升至2.5，但是关于高性能n型SnSe（ZT1.0）的报导较少，其电-声输运机制有待进一步的探究。Pb/I双掺杂调整了SnSe的能带结构，科技提升电输运性能，科技而WSe2/SnSep-n结调节载流子浓度和作为声子散射中心大大降低了热导率至~0.35W/mK，最终n型SnSe多晶的热电优值在790K达到1.35。工作工程陈志刚教授师从成会明院士和逯高清院士。
通过Pb/I双掺杂同时优化了SnSe的电-声输运性能，师韩其热电优值ZT在790K达到0.8。这些论文被SCI引用1700余次，强上H-index达到25。
尤其是n型CoSb3热电材料发展较为缓慢，济南其性能普遍低于p型热电材料，实现高性能n型CoSb3基热电薄膜材料仍面临巨大挑战。
文献链接：选树https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2020.100306进展二：选树高性能n型CoSb3基热电薄膜材料的制备近年来，随着可穿戴电子设备、微型芯片和微型传感器等的飞速发展，迫切需要高功率密度和长使用寿命的微型电源。新中式风格体现的是一种当代人的时尚品味、为市网总生活方式和生活感悟。
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